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        解析毫特斯拉計(jì)高斯計(jì)原理注意事項(xiàng)
        瀏覽次數(shù):897發(fā)布日期:2023-12-08

        解析毫特斯拉計(jì)高斯計(jì)原理注意事項(xiàng)

         

        毫特斯拉計(jì)(又稱高斯計(jì))由霍爾探頭和測(cè)量?jī)x表構(gòu)成。霍爾探頭在磁場(chǎng)中因霍爾效應(yīng)而產(chǎn)生霍爾電壓,測(cè)出霍爾電壓后根據(jù)霍爾電壓公式和已知的霍爾系數(shù)可確定磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小。毫特斯拉計(jì)的讀數(shù)以高斯或千高斯為單位。

        毫特斯拉計(jì)是用于測(cè)量和顯示單位面積平均磁通密度或磁感應(yīng)強(qiáng)度的精密儀器。

        原理

        毫特斯拉計(jì)是基于霍爾效應(yīng)原理進(jìn)行磁場(chǎng)測(cè)量的,采用霍爾傳感器作為磁感應(yīng)元件。用戶可能會(huì)發(fā)現(xiàn)這樣的問(wèn)題,即使在同一個(gè)點(diǎn)上,使用不同型號(hào)的探頭會(huì)產(chǎn)生不同的測(cè)量結(jié)果。這并非是測(cè)量的錯(cuò)誤,而是由于霍爾傳感器的尺寸不同以及裝配的位置誤差產(chǎn)生的結(jié)果。根據(jù)不同的需要,正確地選擇毫特斯拉計(jì)和相應(yīng)的霍爾探頭尤為重要。

        選用方式

        毫特斯拉計(jì)的選型首先應(yīng)從測(cè)量對(duì)象入手,考慮以下幾個(gè)方面:

        a、磁場(chǎng)類型:磁場(chǎng)分為直流磁場(chǎng)和交流磁場(chǎng)兩種,永磁材料磁場(chǎng)強(qiáng)度應(yīng)選用直流高斯計(jì)測(cè)量;

        b、儀器量程:明確被測(cè)對(duì)象的大概磁場(chǎng)范圍,選擇儀器的量程范圍應(yīng)大于被測(cè)量磁場(chǎng);

        c、測(cè)量精確度:指儀器的分辨率,如分辨率是 1Gs 或者 0.1Gs ;

        d、探頭選擇:通常儀器生產(chǎn)廠家的測(cè)試探頭都有多種不同規(guī)格,以滿足各種不同測(cè)試要求,測(cè)量表面磁場(chǎng)強(qiáng)度通常不需要考慮探頭規(guī)格。

        ①氣隙磁場(chǎng)測(cè)量:應(yīng)訪考慮探頭的尺寸大小,如探頭尺寸大于被測(cè)氣隙,則無(wú)法進(jìn)入到被測(cè)的氣隙中,從而無(wú)法使用;

        ②探頭方向選擇:探頭方向分橫向和軸向兩種,用戶在探頭選擇時(shí)應(yīng)根據(jù)被測(cè)對(duì)象考慮選擇適應(yīng)的探頭;

        ③探頭連接線:儀器生產(chǎn)廠家探頭線纜的長(zhǎng)度通常是固定的,如有特殊測(cè)量要求,需延長(zhǎng)或縮短探頭線時(shí),應(yīng)向廠家提出。

        e、供電方式:臺(tái)式高斯計(jì)通常采用交流 220V 供電,便攜式高斯計(jì)采用電池供電。

        f、功能選擇

        ①常規(guī)功能:極性判斷、最大值鎖定等;

        ②便攜性:如需戶外操作或現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量,可選擇便攜性較好的掌上高斯計(jì)(便攜式),此類儀器體積小,重量輕,采用電池供電;

        ③生產(chǎn)線快速測(cè)量:儀器具有上、下限設(shè)置及報(bào)警功能;  交流磁場(chǎng)測(cè)量:用于測(cè)量低頻( 1Hz — 10kHz )交變磁場(chǎng)強(qiáng)度的大小; [1]

        (5)環(huán)境磁場(chǎng)測(cè)量

         

        注意事項(xiàng)


        1.連接好霍爾頭和儀器

        2.開機(jī):按POWER電源按鈕,接通電源。

        3.按紅色按鈕選擇對(duì)應(yīng)量程。

        4.零點(diǎn)校對(duì):用一字螺絲刀調(diào)節(jié)儀器背部 的"調(diào)零

        5.磁場(chǎng)測(cè)試,單位為毫特斯拉。顯示“-"是則探頭對(duì)著N極。

        6.紅色按鈕為量程,按下時(shí)為2000mT,否則為200mT

        7.測(cè)量時(shí)用霍爾芯片接觸磁鋼表面,測(cè)試結(jié)果接近于實(shí)際值,用基板面測(cè)量,測(cè)試結(jié)果偏低。


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